ZnO é um material semicondutor típico da terceira geração, com uma largura de banda proibida de 3,37 eV. O ZnO intrínseco é um semicondutor do tipo n, e a dopagem com elementos doadores pode melhorar significativamente suas características de condução do tipo n. Filmes transparentes condutores à base de ZnO possuem vantagens como a abundância de matérias-primas, diversidade de métodos de preparação e a possibilidade de crescimento em temperatura ambiente, podendo ser aplicados em diversas áreas como optoeletrônica, sensores, fototermia, entre outras. Entre eles, o ZnO dopado com Al (AZO) é um óxido condutor transparente típico que tem recebido grande atenção. Este artigo revisa os avanços recentes em filmes transparentes condutores à base de ZnO, incluindo as propriedades físico-químicas de filmes monocamada dopados de ZnO, filmes multicamadas à base de ZnO, filmes flexíveis à base de ZnO e outros tipos diferentes de filmes transparentes condutores; foca na mobilidade, largura da banda proibida, transmitância/absorção/reflectância e suas relações intrínsecas; descreve detalhadamente as aplicações dos filmes transparentes condutores à base de ZnO em diodos emissores de luz, células solares, sensores, aquecimento semicondutor; e finalmente discute os desafios existentes e as tendências futuras.

óxido de zinco; filme condutor transparente; dopagem doadora; AZO; propriedades optoeletrônicas