Como um dos óxidos metálicos do tipo n mais famosos em dispositivos semicondutores de terceira geração, o óxido de zinco é frequentemente utilizado na construção de detectores fotoelétricos ultravioleta de alto desempenho devido às suas características de alta taxa de detecção, alto ganho óptico e alta sensibilidade. O comportamento fotocondutor do óxido de zinco depende fortemente das propriedades de sua superfície e interface e dos estados de defeitos próximos à banda de condução que capturam e liberam os portadores foto-gerados. Estudos mostram que, devido à perda de portadores e captura por defeitos, em dispositivos ZnO também podem ser observados fenômenos de fotocondutividade persistente (Persistent photoconductivity) e até efeitos de fotocondutividade negativa (Negative photoconductivity, NPC). Este artigo parte do mecanismo de fotocondutividade positiva dos dispositivos baseados em ZnO e apresenta detalhadamente o fenômeno de fotocondutividade negativa observado sob diferentes condições de fabricação, temperatura ambiente, modos de acionamento, compósitos dielétricos e heteroestruturas, bem como os mecanismos físicos microscópicos que dão origem a este efeito. O estudo das características de fotocondutividade negativa do óxido de zinco pode fornecer novas ideias para a construção de circuitos lógicos eficientes, diodos emissores de luz, células solares e sensores de imagem de ultra alta resolução.

Óxido de zinco;Propriedades fotoelétricas;Fotocondutividade negativa