Os transistores de película fina de óxidos metálicos (Metal oxide thin film transistors, MOTFTs) possuem grande potencial para aplicações em painéis de exibição de grande porte devido à sua alta mobilidade de portadores e boa estabilidade elétrica. Além disso, os MOTFTs são compatíveis com o processo de fabricação dos transistores de película fina de silício amorfo, o que reduz os custos de produção e lhes confere uma significativa vantagem competitiva no mercado. No entanto, a contradição entre dois indicadores-chave de desempenho dos MOTFTs — mobilidade e estabilidade — limita sua aplicação em displays de alta qualidade. Portanto, o desenvolvimento de MOTFTs com alta mobilidade e alta estabilidade tornou-se um foco de pesquisa e competição industrial. Muitos estudos indicam que sistemas de materiais semicondutores de óxidos dopados com terras raras são promissores para atingir este objetivo. Este artigo revisa principalmente o design de materiais de óxidos dopados com terras raras que combinam alta mobilidade e alta estabilidade, bem como o desempenho já alcançado dos MOTFTs, e discute os desafios e o potencial de desenvolvimento dos transistores de película fina de óxidos metálicos dopados com terras raras (RE-MOTFTs).

Transistores de película fina de óxidos metálicos;elementos de terras raras;mobilidade;estabilidade