Os semicondutores de larga faixa de banda têm um grande potencial no desenvolvimento de detectores ultravioleta compactos sem filtro e cegos à luz do dia. Este artigo, combinando a experiência da nossa equipe na epitaxia por feixe molecular de filmes monocristalinos de MgZnO e na pulverização catódica por magnetron de filmes amorfos de Ga₂O₃, bem como nos detectores ultravioleta cegos à luz do dia correspondentes, revisa os avanços na pesquisa de detectores de ultravioleta profundo baseados em semicondutores de óxidos de faixa larga, representados por MgZnO e Ga₂O₃ amorfos. Foi descoberto que os filmes amorfos de Ga₂O₃ possuem características de resposta ao ultravioleta profundo que não ficam atrás dos filmes monocristalinos. Muitos resultados de pesquisa indicam que defeitos relacionados a vacâncias de oxigênio desempenham um papel crucial no desempenho do dispositivo, e seu controle adequado pode melhorar efetivamente o desempenho do dispositivo. Além disso, o efeito de fotocondutividade persistente associado às vacâncias de oxigênio oferece uma nova perspectiva para o desenvolvimento de dispositivos fotoneurais de ultravioleta profundo. Finalmente, os problemas existentes nas pesquisas mencionadas foram analisados e resumidos, visando promover ainda mais as aplicações industriais de materiais semicondutores de óxido de banda larga, especialmente materiais amorfos de Ga₂O₃, na futura detecção de ultravioleta profundo.

Ultravioleta cego à luz do dia; detector fotoelétrico; óxido de magnésio e zinco; óxido de gálio; amorfo