O circuito retificador, como componente chave para a conversão de corrente alternada em corrente contínua, desempenha um papel fundamental nos microsistemas de coleta de energia. Os diodos retificadores tradicionais à base de silício ou germânio limitam a integração do sistema devido aos seus processos de fabricação específicos. Em contraste, os diodos de óxido metálico apresentam vantagens na integração do sistema graças às suas técnicas de fabricação simples. As deficiências de oxigênio nos semicondutores de óxido influenciam significativamente o desempenho elétrico do dispositivo, portanto, ajustar a concentração de deficiências de oxigênio pode regular efetivamente o desempenho dos diodos. Para otimizar o desempenho dos diodos, este estudo ajustou eficazmente a concentração de deficiências de oxigênio nos filmes de InGaZnO regulando o fluxo de oxigênio durante o processo de pulverização. Os resultados experimentais mostraram que este diodo possui densidade de corrente direta de 43,82 A·cm^-2 sob 1 V, razão de retificação de 6,94×10⁴, e é capaz de retificar eficazmente um sinal senoidal de entrada de 1 kHz, 5 V, demonstrando grande potencial na conversão e gerenciamento de energia. O controle das deficiências de oxigênio fornece ideias e métodos para otimizar o desempenho dos diodos retificadores.

InGaZnO;diodo de barreira Schottky;deficiências de oxigênio;desempenho de retificação