A energia de ligação do exciton em ZnO, que chega a 60 meV, permite que a energia do exciton seja estável à temperatura ambiente ou em temperaturas mais altas, o que possibilita que dispositivos de polaritons de exciton baseados em microcavidades de forte acoplamento de ZnO superem as limitações das condições experimentais de semicondutores tradicionais em baixas temperaturas, sendo um material preferido para estudos de polaritons de exciton na última década. Este artigo apresenta as principais estruturas de microcavidades semicondutoras de ZnO, com foco nos fenômenos relacionados às microcavidades de forte acoplamento de ZnO e exciton-polaritons relatados recentemente, incluindo lasers de polaritons, espalhamento paramétrico e características de controle de estados quânticos, finalizando com uma perspectiva para pesquisas futuras.

óxido de zinco; polaritons de excíton; microcavidade óptica; condensação de Bose-Einstein