O óxido de zinco (ZnO) possui uma banda proibida direta relativamente ampla (3,37 eV), uma energia considerável de ligação do exciton (60 meV) e boas características de ganho, tornando-o um material ideal para dispositivos emissores ultravioleta puros de baixa dimensão e alta eficiência, bem como para dispositivos laser. Atualmente, lasers por bombeamento óptico baseados em várias formas de microcavidades de ZnO já foram alcançados, mas o desenvolvimento de dispositivos eletricamente acionados é a chave para a aplicação prática. Este artigo revisa brevemente as propriedades básicas do ZnO e os métodos comuns de preparação de suas micro e nanostruturas, organizando os principais avanços na pesquisa de dispositivos emissores e laser baseados em estruturas micro e nanométricas de ZnO conforme diferentes estruturas de dispositivos. Primeiro, descreve os avanços em dispositivos emissores e laser baseados em heteroestruturas ZnO de baixa dimensão e estruturas de Schottky, bem como os métodos de otimização de desempenho correspondentes; em seguida, discute o estado atual da pesquisa em materiais ZnO do tipo p e dispositivos emissores e laser de homoestrutura correspondentes; por fim, resume e apresenta um panorama sobre os problemas existentes dos dispositivos baseados em ZnO e as direções futuras de desenvolvimento.

óxido de zinco;dispositivos emissores;dispositivos laser;heteroestrutura;homoestrutura