Embora os lasers de ZnO apresentem vantagens significativas nas características de ganho, o processo de gravação do material ZnO limita a fabricação de microcavidades de tamanhos arbitrários, dificultando sua aplicação em chip. Neste trabalho, foram preparados arrays suspensos de microdiscos de ZnO por meio do crescimento padronizado de ZnO em substrato de silício isolado (SOI), e as estruturas, morfologia e características de fotoluminescência (PL) das microcavidades foram estudadas sistematicamente. As microcavidades possuem estrutura circular; sob a ação conjunta da tensão superficial e do estresse, os microdiscos de ZnO exibem uma estrutura anelar única e paredes laterais lisas. Os microdiscos de ZnO (diâmetro de 8 μm) emitiram laser ultravioleta em modos de ressonância de parede (WGMs) bombeados opticamente, com fator de qualidade (Q) superior a 1300. Mais interessante ainda, devido ao aumento da interação luz-matéria na microcavidade, a qualidade óptica do microdisco de ZnO foi boa, apoiando o fenômeno de reestruturação da banda proibida (BGR) no material ZnO em alto estado excitado, e o modo do laser também foi modulado. Os resultados experimentais mostram que, à medida que a potência de bombeamento aumenta, o espectro do laser passa por um deslocamento para o azul devido ao efeito Burstein-Moss (BM) e um deslocamento para o vermelho devido ao efeito plasma elétron-buraco (EHP).

óxido de zinco; microdisco; laser sintonizável; epitaxia por feixe molecular