Foi realizada uma simulação física bidimensional de um dispositivo fotoelétrico baseado na heterojunção Ga₂O₃/VO₂ utilizando o software COMSOL multiphysics. Foram analisadas e relatadas as curvas de dopagem, diagramas dos níveis de energia, distribuição do campo elétrico e distribuição do potencial do dispositivo fotoelétrico baseado na heterojunção Ga₂O₃/VO₂ controlada pela transição de fase VO₂. Explorou-se a aplicação do dispositivo como fotodetector, obtendo-se na simulação uma resposta máxima de 0,068 A/W sob tensão de polarização de 1 V e iluminação de 10 μW, com razão de supressão (R_{250 nm}/R_{450 nm}) na ordem de 10⁵. Estes dados de simulação são úteis para a otimização adicional da pesquisa experimental e aplicações de fotodiodos Ga₂O₃/VO₂.

Heterojunção Ga₂O₃/VO₂;COMSOL;Transição de fase VO₂;Estrutura de níveis de energia;Simulação