Os nanomateriais à base de GaAs são cruciais para dispositivos nanooptoeletrônicos no infravermelho próximo devido às suas excelentes propriedades optoeletrônicas. No entanto, à medida que o tamanho do material GaAs diminui, o desenvolvimento de nanofios de GaAs é severamente dificultado pela estrutura de poço quântico do tipo II causada pela mistura das fases blenda de zinco (ZB) e wurtzita (WZ), e por defeitos superficiais decorrentes da alta relação superfície-volume. A realização de nanofios à base de GaAs com alta eficiência de emissão tornou-se um foco de pesquisa importante. Neste estudo, através da combinação de um substrato de silício pré-etchado com a formação da heteroestrutura núcleo-casca GaAs/AlGaAs, utilizando o efeito de sombra e a passivação de superfície, foram preparados nanofios à base de GaAs com boa verticalidade, excelente estrutura cristalina e alta eficiência de emissão. As principais evidências para esta conclusão incluem a emissão proeminente de excitons livres em espectros de temperatura variável e a baixa energia de ativação térmica sugerida por espectros de potência variável. Os resultados indicam que o método de crescimento descrito pode ser utilizado para melhorar a estrutura cristalina e as propriedades ópticas de outros materiais III-V de baixa dimensionalidade, abrindo caminho para dispositivos de nanofios futuros.

Nanofios GaAs;estrutura núcleo-casca GaAs/AlGaAs;fase cristalina;propriedades ópticas