Para chips Micro-LED azuis à base de GaN, foi estudado o mecanismo de falha da corrente de fuga reversa por métodos experimentais de estresse térmico e elétrico. Os resultados mostram que, sob estresse térmico, a corrente de fuga reversa do chip Micro-LED antes da degradação é composta principalmente por corrente de tunelamento assistida por calor em múltiplas etapas, influenciada pelo mecanismo de tunelamento Poole-Frenkel (PF); após a degradação por estresse de tensão (-85 V), a corrente de fuga reversa aumenta com o tempo de estresse, mudando de corrente de tunelamento assistida por calor em múltiplas etapas para o mecanismo de corrente limitada por carga espacial (SCLC). A análise dos diagramas de bandas de energia antes e após a degradação indica que o estresse de tensão prolongado provoca ruptura, causando mudanças drásticas no campo elétrico interno do chip Micro-LED, permitindo que os elétrons colidam com átomos da rede com alta energia, gerando uma grande quantidade de portadores de carga, aumentando assim a taxa de recombinação não radiativa e elevando a corrente de fuga reversa de 1,9766×10^-7 A para 1,5834×10^-4 A.

Micro-LED; mecanismo de falha; recombinação não radiativa; canal de tunelamento; corrente de fuga reversa