Nos últimos anos, os diodos emissores de luz de perovskita (Perovskite light-emitting diodes, PeLEDs) têm demonstrado uma série de desempenhos notáveis, como pureza de cor ultra elevada, gama cromática muito ampla e alta eficiência luminosa. Especialmente os PeLEDs verde e próximo ao infravermelho melhoraram rapidamente a eficiência quântica externa (External quantum efficiency, EQE) e o brilho, mas o desenvolvimento das propriedades (eficiência, brilho, confiabilidade, etc.) dos dispositivos PeLEDs com luz vermelha pura com pico de fluorescência na faixa de 620 a 640 nm tem sido relativamente lento. Neste trabalho, preparamos nanocristais de perovskita de halogênios mistos CsPb(Br/I)₃ de cor vermelha pura, com desempenho óptico e estabilidade significativamente melhorados, usando um processo que combina injeção térmica e pós-tratamento com ligantes de N-hidroxi-etil etilenodiaminotriacetato (HEDTA). Os ligantes multidentados HEDTA ligam-se efetivamente ao Pb²⁺ e I^- na superfície dos nanocristais, passivando defeitos relacionados ao Pb²⁺ na superfície e inibindo a formação de defeitos de Frenkel I^- que causam a segregação de haletos. Os PeLEDs fabricados com a camada emissora baseada nos nanocristais CsPb(Br/I)₃ tratados com troca de ligantes apresentam pico de emissão na região vermelha pura em 636 nm, alcançando EQE máxima de 18,62% e brilho máximo de 1880 cd/m². A estabilidade operacional do dispositivo T₅₀ (tempo para a luminância do dispositivo cair para metade do brilho inicial) aumentou de 11,4 min no dispositivo não modificado para 74,5 min.

Diodo emissor de luz de perovskita vermelho puro; CsPb(Br/I)₃; engenharia de ligantes; passivação de defeitos