Em resposta às demandas atuais de aplicações do laser laranja-amarelo nos campos de medicina a laser e detecção de alimentos e medicamentos, foi realizada uma pesquisa sobre um laser semicondutor de emissão de cavidade externa vertical fundamental de alta potência de 1150 nm (VECSEL). Foi proposta uma estrutura de cavidade externa com um modo fundamental de grande tamanho dentro da cavidade do laser, permitindo o alinhamento do modo dentro do VECSEL com o tamanho grande da mancha de bombeamento, alcançando uma saída de laser de alta potência; foi proposta uma estrutura de descompasso entre o pico de ganho e o modo da cavidade, onde os coeficientes de deriva térmica do pico de ganho e do modo da cavidade são diferentes, proporcionando um bom alinhamento pico de ganho-modo da cavidade sob alta potência de bombeamento e permitindo um controle estável do comprimento de onda do laser sob alta potência de bombeamento. O dispositivo VECSEL preparado produziu uma potência de saída de 9,38 W no comprimento de onda de 1150 nm e obteve-se um formato de mancha de saída simétrico circular de boa qualidade, com ângulos de divergência nas direções ortogonais de 7,3° e 7,5°, respectivamente.

Laser semicondutor; laser semicondutor de emissão de cavidade externa vertical; chip de ganho; poços quânticos deformados