Os fônons acústicos coerentes excitados por laser pulsado de femtossegundos em materiais finos sólidos podem obter rapidamente e sem danos as características estruturais de materiais emissores e dispositivos, sendo de grande importância para a inspeção e imagem não destrutiva de interfaces funcionais de dispositivos optoeletrônicos. Em comparação com os tradicionais transdutores fotoacústicos de filmes metálicos baseados no mecanismo termoelástico, os materiais semicondutores bidimensionais possuem excelentes características como absorção ampla, superfície atômica lisa e controle fácil do número de camadas. A excitação a laser femtossegundos de semicondutores bidimensionais pode gerar in situ oscilações coerentes de fônons acústicos, criando condições para emitir pulsos de ondas acústicas ultrarrápidos para obter informações da interface, sendo amplamente aplicável na avaliação não destrutiva da distribuição de defeitos, propriedades mecânicas e qualidade das interfaces em dispositivos emissores. Este artigo apresenta principalmente os avanços na pesquisa de fônons acústicos coerentes em semicondutores bidimensionais e discute o significado científico e o valor social das técnicas de medição de alta profundidade de penetração e alta resolução espaço-temporal baseadas na conversão fotoacústica ultrarrápida.

semicondutores bidimensionais;interfaces heterogêneas;fônons acústicos coerentes