Preparação, caracterização e estudo de aplicações de materiais emissores dopados com Zn2+ MgGa2O4∶Ni2+ na segunda janela do infravermelho próximo

ZHANG Lin ,  

YANG Jian ,  

LI Shengnan ,  

WANG Shuai ,  

ZHU Hancheng ,  

YAN Duanting ,  

XU Changshan ,  

LIU Yuxue ,  

摘要

Foi preparado um fósforo ZnxMg0,993-xGa2O4∶0,7%Ni2+ (x=0~0,5) (ZMGO∶Ni2+) com estrutura espinela inversa, usando o método hidrotermal combinado com tratamento térmico a vácuo posterior. Com o aumento do teor de dopagem de Zn2+, o tamanho das partículas da amostra em pó ZMGO∶Ni2+ aumentou gradualmente. Sob excitação a laser de 635 nm, observou-se um pico de emissão de banda larga na região de ~1279 nm, atribuído à emissão característica de Ni2+. Além disso, a dopagem com Zn2+ reduziu a energia de ativação térmica da extinção da fluorescência de 244 meV para 224 meV. Um LED conversor de fósforo NIR-Ⅱ (NIR-Ⅱ pc-LED) foi fabricado encapsulando a amostra em pó ZMGO∶Ni2+ com a maior intensidade de emissão junto com um chip LED vermelho de 620 nm. Com base na forte capacidade de penetração da luz NIR-Ⅱ e na ausência de autofluorescência de tecidos biológicos, o NIR-Ⅱ pc-LED foi usado como fonte de luz para estudar suas aplicações em imagens noturnas com obstrução e imagens de tecidos biológicos.

关键词

fotoluminescência;íons de metais de transição;segunda janela do infravermelho próximo;fósforo

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