Os lasers semicondutores de alta potência de 1,55 μm são amplamente utilizados em redes ópticas tronco de longa distância, condução autônoma e outras áreas. Em sistemas aplicados, uma potência de saída de laser mais alta ajuda a melhorar a distância de operação do sistema e a relação sinal-ruído do receptor; com o rápido desenvolvimento da integração optoeletrônica e do empacotamento óptico coembalado, a alta densidade de integração optoeletrônica exige que os lasers possuam características como baixo consumo de energia. Este artigo otimiza o dopagem P-InP da epitaxia do laser, reduzindo a resistência em série do laser em temperatura ambiente de 3,2 Ω para 2,2 Ω, o desempenho da resistência do dispositivo é melhor do que o do dispositivo comparável com a mesma estrutura, o consumo elétrico do dispositivo a 300 mA foi reduzido de 510 mW para 430 mW. Além disso, uma estrutura de guia de onda cônica foi adotada para aumentar o volume do meio de ganho do laser, os resultados dos testes mostram que a estrutura do guia de onda cônica aumentou a potência de saída do laser em mais de 17%, enquanto o consumo elétrico do dispositivo não aumentou significativamente; sob baixa corrente e temperatura ambiente, a eficiência máxima de conversão fotoelétrica do dispositivo se aproxima de 50%, comparável aos melhores valores relatados; os resultados do teste de campo distante mostram que o ângulo de divergência horizontal do laser foi efetivamente reduzido, enquanto a qualidade do feixe do dispositivo não mudou significativamente. Os resultados experimentais fornecem uma base para pesquisas de lasers semicondutores de alta potência e baixo consumo para aplicações de integração optoeletrônica.

1.55 μm;InP/InGaAsP;laser de alta potência;dopagem tipo p;guia de onda cônica