Regulação por substituição aniónica F/O da emissão no infravermelho próximo de ZnGa2O4∶Cr3+

WU Yubo ,  

YU Shijie ,  

HUANG Qianxing ,  

SHAO Qiyue ,  

摘要

Foi preparada uma série de fósforos ZnGa2O4∶xCr3+,yMgF2 pelo método sólido em alta temperatura, e suas estruturas de fase e propriedades luminescentes foram estudadas. Os resultados mostram que o íon F desempenha um papel dominante na dopagem com MgF2, a substituição dos ânions F/O forma localmente centros emissores diferentes[CrO6]e[Cr(O,F)6], o que alarga significativamente o espectro de emissão de ZnGa2O4∶Cr3+. Além disso, com o aumento da concentração de Cr3+, o espectro de emissão desloca-se continuamente para o vermelho, alcançando emissões ajustáveis na faixa de comprimento de onda de 689~900 nm; as análises espectroscópicas estáticas e transitórias indicam que o deslocamento significativo para o vermelho do pico do espectro é devido à transferência de energia entre diferentes centros emissores Cr3+. A amostra otimizada ZnGa2O4∶0.1Cr3+,0.2MgF2 (ZMGOF∶0.1Cr3+) apresentou bom desempenho geral, com emissão de banda larga no infravermelho próximo cobrindo a faixa de 700~1 200 nm sob excitação azul, comprimento de onda de pico a 885 nm e largura a meio máximo de 215 nm; possui excelente eficiência luminosa e estabilidade térmica, com eficiência quântica interna e externa de 92,3% e 48,1% respectivamente, e retenção de intensidade a 100 ℃ de aproximadamente 89,6%. Dispositivos LED encapsulados com o fósforo ZMGOF∶0.1Cr3+ exibiram potência óptica de saída no infravermelho próximo de aproximadamente 34,5 mW sob corrente de 100 mA e eficiência de conversão de energia de aproximadamente 12,3%.

关键词

fósforo;LED;infravermelho próximo;ativação Cr3+;substituição aniónica

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