O super-rede tipo II InAs/GaSb é a estrutura central dos dispositivos fotoeletrônicos na faixa do infravermelho médio, onde o arranjo da banda tipo II faz com que elétrons e lacunas se separem no espaço real através da interface, e a configuração atômica não comum da interface torna os estados da interface abundantes. Com base na teoria da função de envelope de Burt-Foreman, discutimos o efeito de diferentes estados de interface na modulação dos estados eletrônicos e funções de onda do super-rede. Os cálculos teóricos mostram que a distribuição dos dois estados de interface assimétricos, interface gradual e potencial de interface, levam à divisão de spin na banda de lacunas pesadas, enquanto a divisão de spin na banda de lacunas leves ocorre apenas quando o potencial da interface é aplicado. Além disso, estudamos a tendência da variação da largura da banda do sistema do super-rede ao alterar a largura do poço e a barreira. Os resultados indicam que, com o aumento da espessura da barreira, a largura da banda calculada para os estados de interface abrupta e gradual diminui gradualmente e tende a convergir, enquanto sob o potencial da interface, a largura da banda aumenta com o aumento da espessura da barreira, mostrando uma tendência oposta às duas primeiras, fornecendo uma base teórica de referência para o projeto preciso de dispositivos super-redes de infravermelho médio.

antimonietos; super-rede; estados de interface; método de diferenças para frente e para trás