A modificação da interface enterrada pode melhorar eficazmente a eficiência e estabilidade das células solares de perovskita. Neste trabalho, ao utilizar diclorido de cobalto bis (trifenilfosfina) (BTPPCC) como agente modificador superficial da interface enterrada pré-instalado, defeitos enriquecidos na superfície inferior do filme de perovskita MAPbI₃ foram efetivamente passivados, otimizando o contato da interface entre o filme de perovskita e a camada de transporte de buracos inferior (HTL), melhorando a cristalização da camada absorvedora de luz de perovskita. Além disso, o BTPPCC suprimiu eficazmente a recombinação não radiativa de cargas na interface, melhorando a estabilidade a longo prazo do dispositivo, elevando a eficiência de conversão de energia (PCE) do dispositivo do tipo p-i-n de 18,37% para 20,12%. O dispositivo não encapsulado manteve mais de 76% da eficiência inicial após quase 500 horas de funcionamento contínuo em ar ambiente a temperatura ambiente com umidade relativa (UR) de 50%. Isso fornece um método eficaz para otimizar a interface enterrada da perovskita.

células solares de perovskita; interface enterrada; passivação de defeitos