Diodo emissor de luz ultravioleta profundo baseado em AlGaN com camada de barreira eletrônica de múltiplos poços quânticos separados
摘要
Ao separar a camada de barreira eletrônica de múltiplos poços quânticos (EBL), foi alcançada uma melhoria no desempenho do dispositivo DUV-LED baseado em AlGaN. De acordo com os resultados da simulação, em comparação com a EBL tradicional maciça, a EBL com estrutura de múltiplos poços quânticos separados pode obter uma concentração maior de buracos e uma taxa de recombinação radiativa mais alta. Isso se deve ao fato de que a camada intermediária na EBL forma uma zona de aceleração de buracos, permitindo que os buracos adquiram energia nessa zona, melhorando assim a eficiência de injeção de buracos. Além disso, a estrutura de múltiplas barreiras quânticas também pode inibir eficazmente o vazamento de elétrons ao aumentar a barreira eletrônica, o que melhora significativamente o desempenho do dispositivo. Em resumo, a introdução da camada de barreira eletrônica de múltiplos poços quânticos pode melhorar significativamente o desempenho do dispositivo DUV-LED baseado em AlGaN.
关键词
AlGaN;diodo emissor de luz ultravioleta profundo;camada de barreira eletrônica
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