Foi aplicado um laser semicondutor com uma ampla zona de emissão de 808 nm em uma cavidade externa de combinação de polarização por divisão da cintura do feixe, alcançando saída de laser com alta qualidade de feixe, alta luminosidade e largura de linha estreita. A potência de saída do laser obtida foi de 5,08 W, qualidade do feixe nos eixos rápido e lento M²=1,85×18,2, a qualidade do feixe do eixo lento melhorou 48% em comparação com o laser em funcionamento livre, a luminosidade do laser de saída B=22,74 MW·cm^-2·sr^-1, sendo 1,3 vezes maior que o laser em funcionamento livre. A largura da linha espectral do laser obtida foi de 0,47 nm, comprimida para 0,14 da largura espectral do laser em funcionamento livre.

laser semicondutor; combinação de feixes; cavidade externa