Os materiais perovskita, graças à sua lacuna de banda ajustável, alto coeficiente de absorção de luz e baixa energia de ligação do exciton, destacam-se nos campos fotovoltaico semicondutor e detecção fotoelétrica. Perovskitas à base de chumbo universais geralmente absorvem na região UV ao visível, enquanto perovskitas puras à base de estanho ou mistas de estanho-chumbo com banda estreita têm seu espectro de absorção limitado à faixa do infravermelho próximo até cerca de 1060 nm, o que limita suas futuras aplicações em cenários complexos de detecção e imageamento. A combinação da perovskita com semicondutores de banda estreita para construir heterojunções compostas “perovskita/semicondutor” pode expandir ainda mais a faixa espectral e melhorar a eficiência da absorção. Esta revisão resume os avanços nos detectores fotoelétricos de banda larga baseados em perovskita em otimização do desempenho de detecção, excelentes propriedades de materiais individuais, engenharia de seleção de materiais compostos, e discute avanços e perspectivas na resposta espectral, integração de pixels, desenvolvimento de dispositivos flexíveis e estabilidade. Esta revisão auxiliará a impulsionar a pesquisa de detectores fotoelétricos de banda larga baseados em perovskita e suas futuras aplicações em imageamento.

Perovskita;Detector fotoelétrico infravermelho;Detector fotoelétrico de banda larga;Pontos quânticos;Heterojunção