Para melhorar a eficiência de injeção de buracos em LEDs de múltiplos poços quânticos baseados em GaN, foi projetada uma estrutura epitelial de múltiplos poços quânticos GaN com diferentes camadas finais de barreira e fabricada como um chip de LED mini-verde. O mecanismo de transporte de portadores foi estudado usando espectros de eletroluminescência de baixa temperatura e testes de corrente-tensão. Os resultados mostram que em amostras com camada final de barreira AlGaN ou GaN/AlN, mais portadores podem se transferir para poços quânticos profundos, aumentando a eficiência de injeção de buracos. Este artigo investiga o mecanismo de transporte de portadores e o papel das defeitos de poços em V nesse fenômeno, descobrindo que essa melhora decorre principalmente do aumento da proporção de injeção de buracos por poços em V. Os experimentos também observaram que uma proporção excessiva de injeção por poços em V aumenta a taxa de recombinação não radiativa, suprimindo a eficiência de conversão eletro-óptica das amostras com camada final de barreira AlGaN.

diodo emissor de luz; camada final de barreira; injeção de buracos; poços quânticos múltiplos InGaN/GaN; poços em V