Os materiais de perovskita halogenada metálica, devido às suas excelentes propriedades optoeletrônicas, podem ser usados para fabricar diodos emissores de luz e em anos recentes têm atraído muita atenção. Existem muitos defeitos na superfície da perovskita e na interface perovskita/camada de transporte, que afetam severamente o desempenho e a estabilidade do dispositivo, e um tratamento eficaz de passivação da superfície/interface é uma forma viável de reduzir defeitos na interface e melhorar o desempenho do dispositivo. Este artigo relata uma estratégia de tratamento de superfície adicionando acetato de guanidínio ao extrator, que pode reduzir efetivamente os defeitos da superfície da camada de perovskita, melhorar a morfologia do filme e assim aumentar a eficiência quântica de fluorescência do filme de perovskita de 64% para 79%. Os diodos emissores de luz fabricados com filme de perovskita tratado na superfície com acetato de guanidínio alcançaram uma eficiência máxima de 11,66% e luminância máxima de 1285 cd·m^-2, claramente superiores aos dispositivos de referência não tratados (6,69%, 689 cd·m^-2), além de apresentarem melhor estabilidade. Este estudo fornece uma estratégia eficaz para o tratamento da superfície da perovskita que pode melhorar o desempenho e a estabilidade dos diodos emissores de luz de perovskita.

perovskita;diodo emissor de luz;tratamento de superfície;quase bidimensional;passivação de defeitos