O β⁃Ga₂O₃ possui uma banda proibida ultralarga, alta resistência à ruptura e um valor relativamente alto do parâmetro de Baliga, tornando-o um material semicondutor emergente com grande potencial de aplicação em dispositivos eletrônicos de alta potência, sensores de gases, detectores ultravioleta cegos à luz visível, entre outros. No entanto, a dificuldade do dopagem tipo p é um grande obstáculo para o desenvolvimento do β⁃Ga₂O₃. Este artigo apresenta primeiramente uma visão geral das vantagens do β⁃Ga₂O₃ e introduz sua estrutura cristalina e propriedades básicas. Em seguida, explica os defeitos intrínsecos do β⁃Ga₂O₃, especialmente o impacto das vacâncias de oxigênio nas propriedades condutoras. Depois, discute detalhadamente o estado atual da pesquisa sobre dopagem tipo p em β⁃Ga₂O₃, incluindo as razões das dificuldades de dopagem e o dopagem com N, Mg, Zn, outros elementos aceitadores, codopagem com dois elementos e outros métodos. Por fim, resume e apresenta perspectivas para o desenvolvimento futuro do β⁃Ga₂O₃.

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