Desempenho de emissão no infravermelho próximo de Li（Sc, M ）Si2O6∶Cr3+（M = Ga3+/Lu3+/Y3+/Gd3+）
摘要
Os diodos emissores de luz fluorescentes convertidos para infravermelho próximo (NIR pc⁃LED) possuem vantagens como pequeno volume, banda espectral ampla e pico facilmente ajustável, sendo uma vanguarda no desenvolvimento de fontes de luz NIR de nova geração. A chave está no desenvolvimento de fósforos fluorescentes de banda larga e alta eficiência que possam ser eficazmente excitados pela luz azul. O material fluorescente LiScSi2O6∶Cr3+ apresenta comprimento de onda de excitação de 460 nm, pico de emissão em 845 nm, largura de banda espectral de 156 nm e eficiência quântica interna de 64,4%. Com base neste sistema, este trabalho regula o desempenho substituindo íons Sc3+ por íons M (M = Ga3+, Lu3+, Y3+, Gd3+). Os resultados mostram que a introdução de íons M facilita a formação de fases heterogêneas ou mudanças de fase, reduzindo o desempenho de emissão do material. Este artigo analisa o processo de regulação com base na estrutura cristalina.
关键词
LiScSi2O6∶Cr3+; substituição cátionica; estrutura cristalina
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