O diodo emissor de super-radiação, como componente central do giroscópio de fibra óptica, tem seu desempenho influenciando diretamente a precisão do giroscópio de fibra óptica; quanto maior a potência de saída do diodo emissor de super-radiação, melhor é a relação sinal-ruído do sinal recebido pelo giroscópio de fibra óptica. O material de ganho InP/AlGaInAs possui a vantagem de alta eficiência na restrição eletrônica, contudo, devido à facilidade de oxidação do elemento Al, enfrenta problemas de confiabilidade na aplicação. Este artigo utiliza InP/InGaAsP como material de ganho e aumenta a eficiência da restrição eletrônica do poço quântico por meio da adoção de uma camada barreira eletrônica de banda larga na estrutura epitaxial. Os resultados experimentais mostram que a potência máxima de saída do chip a laser aumentou de 69 mW para 92 mW. Com base nisso, a qualidade da área de ganho e do material da camada barreira eletrônica com tensão foi melhorada otimizando a velocidade de deposição do material. Os resultados indicam uma melhoria significativa na confiabilidade do chip a laser; após 1000 horas de envelhecimento de vida útil, a variação do limiar e da potência permanecem dentro dos limites aceitáveis. Finalmente, a fabricação do chip do diodo emissor de super-radiação foi realizada. Os testes mostram que a camada barreira eletrônica aumentou a potência de saída saturada do chip SLD em temperatura ambiente de 19 mW para 24 mW, a corrente de operação saturada também aumentou, a largura espectral atingiu 80 nm, e o comprimento de onda central do espectro está por volta de 1500 nm; o limiar e a variação de potência do chip permanecem estáveis após 1000 horas de envelhecimento, sem degradação de desempenho observada.

Diodo emissor de super-radiação;InP/InGaAsP;Estrutura de barreira eletrônica;Taxa de crescimento do material