Foi epitaxiado um filme fino de Ga₂O₃ em um substrato p⁃GaAs(100) usando o processo de deposição química a vapor de compostos metálicos orgânicos (MOCVD) e foi fabricado um detector ultravioleta invisível à luz do dia com heterojunção n⁃Ga₂O₃/p⁃GaAs. A morfologia da superfície e a qualidade cristalina do filme de Ga₂O₃ foram testadas e analisadas por difratômetro de raios X, microscópio de força atômica e microscópio eletrônico de varredura por emissão de campo. Os resultados mostraram que o filme de Ga₂O₃ apresentou orientação cristalina única, com superfície lisa e crescimento epitaxial no modo Volmer⁃Weber. Os testes mostraram que o detector de heterojunção n⁃Ga₂O₃/p⁃GaAs possui características de retificação evidentes. O dispositivo alcançou uma razão corrente fotodecorrente/corrente de escuro superior a 3,0×10⁴, responsividade de 7,0 A/W, eficiência quântica externa de 3412% e detectividade de 4,6×10¹³ Jones sob polarização reversa de 5 V e iluminação ultravioleta (254 nm). Utilizamos o software TCAD para simular a estrutura do dispositivo, obtivemos a distribuição do campo elétrico e a estrutura da banda de energia dentro do dispositivo e analisamos o princípio de funcionamento. Este detector de heterojunção apresenta bom desempenho, processo de fabricação simples e oferece um novo caminho para o desenvolvimento de detectores ultravioleta invisíveis à luz do dia ultrassensíveis baseados em Ga₂O₃.

óxido de gálio; deposição química a vapor de compostos metálicos orgânicos; heterojunção; detector ultravioleta invisível à luz do dia