Com o rápido desenvolvimento da era da informação, foram estabelecidas exigências mais elevadas para a escolha de materiais optoeletrônicos em dispositivos microeletrônicos e para o desenvolvimento de novas funcionalidades. Os dispositivos optoeletrônicos tradicionais geralmente utilizam o efeito de fotocondutividade positiva, no qual a condutividade dos semicondutores aumenta sob a luz, para o design funcional. Nos últimos anos, foi descoberto outro efeito anômalo de fotocondutividade — a fotocondutividade negativa (Negative photoconductivity, NPC), em que a condutividade diminui sob iluminação. O NPC tem atraído muita atenção devido às suas potenciais aplicações em detecção óptica, dispositivos lógicos, dispositivos neuromórficos e memórias não voláteis de baixo consumo. Os mecanismos de geração do NPC geralmente incluem o efeito de captura de portadores, adsorção-dessorção de moléculas superficiais, polarização de plasmon de superfície e ressonância local de plasmon de superfície, além de efeitos foto-termais. Este artigo discute detalhadamente os mecanismos físicos da geração de NPC em diferentes dispositivos optoeletrônicos, analisa o impacto da escolha de materiais, do design da estrutura do dispositivo e das mudanças na estrutura da banda de energia no efeito NPC em diversos dispositivos de heterojunção, e resume as aplicações práticas do efeito de fotocondutividade negativa em dispositivos optoeletrônicos, fornecendo uma referência importante para a otimização do desempenho e para o design de novos dispositivos optoeletrônicos, estabelecendo assim uma base científica para a realização de dispositivos optoeletrônicos de heterojunção de informações futuros com dimensões menores, ganho fotocondutivo maior, velocidade mais rápida e menor consumo de energia.

fotocondutividade negativa;aplicações;dispositivos optoeletrônicos