O fator de calibração de radiação, como um importante parâmetro físico dos lasers semicondutores, tem desempenhado um papel fundamental na revelação do desempenho do dispositivo. Este artigo propõe um método experimental para medir o fator de calibração de radiação. Utilizando este método, foi realizada uma investigação das características de radiação da estrutura de poço quântico InGaAs/GaAs de 980 nm. O método coleta espectros de fotoluminescência (PL) irradiados de ambos os lados da estrutura de emissão lateral InGaAs/GaAs e, utilizando a fórmula teórica construída, obteve o fator de calibração de radiação da estrutura sob diferentes concentrações de portadores injetados, com uma faixa de variação média de aproximadamente 7,16×10^10 a 3,36×10^11 W^-1·eV^-1·s^-1. Por fim, os resultados foram analisados utilizando a teoria do modelo sólido e as regras de preenchimento de portadores, revelando os níveis de preenchimento da banda de energia dos portadores não-equilibrados em diferentes estados de equilíbrio térmico, bem como as variações dos níveis quase-fermi de elétrons e lacunas. Este estudo propõe um novo método para medir o fator de calibração de radiação e possui um valor de pesquisa significativo na revelação dos mecanismos de radiação de materiais emissores e no avanço do desenvolvimento de lasers.

InGaAs/GaAs;fator de calibração de radiação;espectro de fotoluminescência;níveis de preenchimento da banda de energia