A tecnologia de detecção no infravermelho próximo (NIR) desempenha um papel importante em aplicações militares, de comunicação e industriais, e a enorme demanda de mercado impulsionou o rápido desenvolvimento dos fotodetectores NIR (PDs). As nanopartículas de conversão ascendente dopadas com terras raras (UCNPs), que possuem características de bombeamento de dois ou múltiplos fótons, podem converter fótons NIR em fótons visíveis ou ultravioleta, que são absorvidos por semicondutores com bandgap mais amplo, possibilitando a fabricação de PDs de conversão ascendente de alto desempenho. No entanto, a realização de PDs de conversão ascendente de banda estreita NIR ainda enfrenta algumas dificuldades, como a baixa eficiência quântica de fluorescência dos íons de terras raras e a necessidade de um limiar de bombeamento alto para obter emissão detectável. Neste trabalho, utilizamos UCNPs NaYF₄∶4%Er em combinação com uma camada semicondutora de perovskita para alcançar PDs de conversão ascendente de banda estreita a 1550 nm. A emissão de conversão ascendente das UCNPs foi aprimorada por uma camada de nanobarras de prata (Ag NRs) com efeito de ressonância plasmônica de superfície localizada, reduzindo assim o limiar de bombeamento dos PDs. A responsividade (R) e detectividade (D*) máximas dos PDs baseados na estrutura composta Ag NRs/NaYF₄∶4%Er UCNPs/MAPbI₃ foram aproximadamente 48,5 mA/W e 5,7×10⁸ Jones, respectivamente. Em comparação com os PDs puros UCNP/MAPbI₃, R e D* aumentaram em uma ordem de magnitude. Desenvolvemos com sucesso uma estratégia simples para fabricar PDs de banda estreita estáveis no infravermelho próximo.

emissão de conversão ascendente;ressonância plasmônica de superfície localizada;modulação do campo local;fotodetector estreito no infravermelho próximo