Foram preparados pontos quânticos InP/GaP/ZnS usando o método de injeção in situ de ácido fluorídrico (HF). O efeito do HF no desempenho luminescente dos pontos quânticos InP foi analisado por meio de espectroscopia UV/Visível/Próximo Infravermelho, espectroscopia de fotoluminescência, microscopia eletrônica de transmissão, microscopia eletrônica de transmissão corrigida por aberração esférica, difração de raios X e espectroscopia fotoeletrônica de raios X. Os resultados experimentais mostram que a gravação com HF reduziu os estados de defeito de oxidação na superfície dos pontos quânticos, controlou efetivamente a oxidação da superfície do núcleo de InP, e que o ligante atômico F^- passivou as ligações pendentes da superfície dos pontos quânticos, melhorando significativamente o desempenho óptico dos pontos quânticos. Os pontos quânticos InP/GaP/ZnS tratados com HF apresentam o melhor desempenho luminescente, com eficiência quântica fotoluminescente (PLQY) de até 96%. Além disso, os LEDs fabricados com pontos quânticos InP/GaP/ZnS tratados com HF mostraram eficiência de corrente luminosa de 6,63 cd/A e eficiência quântica externa máxima (EQE) de 3,83%.

HF; pontos quânticos InP/GaP/ZnS; propriedades ópticas; diodos emissores de luz