Características fotoelétricas do dispositivo Micro-LED baseado em GaN com condução CA e contato elétrico inexistente

GUO Yunyun ,  

WENG Shuchen ,  

ZOU Zhenyou ,  

XU Hailong ,  

WANG Haonan ,  

ZHOU Xiongtu ,  

WU Chaoxing ,  

ZHANG Yongai ,  

摘要

针对Micro⁃LED器件微型化带来的尺寸效应、高速巨量转移、发光器件与驱动背板的高精度键合等问题，本文通过金属有机化学气相沉积和原子层沉积技术制备了一种垂直结构的交流驱动无电学接触型GaN基Micro⁃LED器件，研究了其光电特性。结果表明，器件电路模型可等效为RC电路，随着交流驱动信号频率的增大，器件等效阻抗先快速减小后趋于稳定。当频率固定时，器件<I⁃V特性呈线性关系，器件等效阻抗稳定，器件亮度随着驱动电压增大而增强。当驱动电压固定时，器件在16~22 MHz频率范围内达到最大亮度，且亮度随频率增加呈现先上升后下降趋势；此外，由于回路呈电容特性，无电学接触型Micro⁃LED器件存在发光延迟效应和电流超前效应。对比传统Micro⁃LED器件，无电学接触型Micro⁃LED器件与外部电极无电学接触，在交流驱动条件下实现内部载流子复合发光，有望解决Micro⁃LED芯片微型化带来的技术难题。

关键词

dispositivo Micro-LED;nitreto de gálio;contato elétrico inexistente;condução CA;características fotoelétricas

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