Para melhorar as características de saída do diodo emissor de luz de super-radiação na faixa de 1 μm, foram estudados os parâmetros da estrutura epitaxial e da estrutura do guia de onda em formato J. Com base nos resultados da pesquisa, foram determinados os parâmetros da estrutura epitaxial e do guia de onda, bem como otimizados o processo de fabricação da janela do eletrodo e as condições de deposição do filme fino de óxido de háfnio monocamada. O estudo mostra que reduzir a diferença na composição de alumínio no material AlGaAs do guia de onda e da camada de confinamento favorece a melhoria das características do feixe do dispositivo. Além disso, aumentar a profundidade de gravação, a largura da crista e o raio de curvatura reduz o coeficiente de perda para melhorar a potência de saída do dispositivo. Com base nos resultados da simulação, foi fabricado um dispositivo com estrutura de três poços quânticos com largura de poço não uniforme e poço profundo, filme monocamada de óxido de háfnio com refletância de aproximadamente 0,5% na face frontal da cavidade, filme de alta reflexão evaporado na face traseira, comprimento da cavidade de aproximadamente 2 mm e raio de curvatura do guia de onda de 21,8 mm. Sob injeção de corrente contínua de 500 mA, alcançou-se potência de saída de 118,1 mW e largura espectral de 32,5 nm. O design do filme antirreflexo monocamada suprime a oscilação do dispositivo e simplifica a complexidade do processo, evitando problemas de tensões entre diferentes materiais em filmes antirreflexo multicamadas.

Diodo emissor de luz de super-radiação;Guia curvado;Raio de curvatura;Coeficiente de perda;Características de saída