Estruturas de poços quânticos múltiplos Al_0.38Ga_0.62N/Al_0.55Ga_0.45N em ultravioleta profundo foram cultivadas em substratos de safira orientados para c por métodos de sputtering magnético e deposição química de vapor metalorgânico, e seus espectros de fotoluminescência (PL) foram medidos. Os resultados da dependência da densidade de excitação do espectro PL indicam que o processo de radiação do poço quântico envolve espalhamento de portadores localizados, blindagem do campo de polarização e efeito de preenchimento de estados localizados; os resultados da dependência térmica do espectro PL indicam que o processo de radiação envolve relaxamento de portadores localizados, excitação térmica de portadores localizados e o efeito habitual de termalização de portadores livres. Este fenômeno (isto é, a existência de múltiplos processos de recombinação radiativa) é particularmente evidente em condições de teste de baixa temperatura e excitação fraca, e mostra que a estrutura dos poços quânticos apresenta heterogeneidade significativa na profundidade de localização e efeito de localização de portadores, devido à combinação da dispersão de portadores localizados superficiais e o preenchimento de portadores em estados localizados profundos. Na faixa de temperatura mais baixa, com o aumento da temperatura, o processo de radiação no poço quântico é o resultado combinado do efeito de relaxamento de portadores localizados rasos e a excitação térmica de portadores localizados profundos. Esses comportamentos são atribuídos à heterogeneidade da profundidade de localização induzida por flutuações na largura do poço e aos efeitos de localização dos portadores.

LED UV profundo; Poços quânticos múltiplos AlGaN; Fotoluminescência; Efeito de localização de portadores