Os poços quânticos múltiplos InGaAs/AlGaAs (MQWs) são um material epitaxial comum do grupo III-V, geralmente utilizados em lasers semicondutores e células solares. No entanto, problemas como diferentes temperaturas de crescimento das camadas de poço e barreira, segregação de átomos de índio e baixa qualidade de crescimento dos múltiplos poços quânticos ainda não foram bem resolvidos. Este artigo projeta uma camada de inserção (ISL) feita de arseniato de gálio (GaAs) e a utiliza na estrutura dos MQWs InGaAs/AlGaAs. Testes PL, XRD e AFM mostram que a camada de inserção de GaAs garante mais recombinação radiativa na estrutura MQWs e impede a segregação de átomos de índio. No entanto, a introdução da camada de GaAs também gera um "estado localizado", que afeta as propriedades de emissão do poço quântico. Este estudo pode aprofundar a compreensão do mecanismo de recombinação radiativa nos múltiplos poços quânticos InGaAs/AlGaAs e é importante para a pesquisa das propriedades de emissão dos poços quânticos InGaAs/AlGaAs com a introdução da camada de inserção GaAs.

Poços quânticos múltiplos InGaAs/AlGaAs; estado localizado; camada de inserção; epitaxia por deposição química de vapor metal-orgânica (MOCVD)