O óxido de zinco (ZnO), como um excelente material de transporte eletrônico, é amplamente utilizado em dispositivos eletroluminescentes de pontos quânticos (QLED) de alto desempenho. No entanto, devido à alta taxa de transporte de carga da camada de ZnO, ocorre uma injeção excessiva de elétrons no dispositivo, causando desequilíbrio de portadores de carga dentro do dispositivo e reduzindo sua eficiência. Além disso, a natureza higroscópica do ZnO faz com que o contato entre o ZnO e o eletrodo seja facilmente afetado pelo ambiente externo (umidade e oxigênio), o que impacta a estabilidade de armazenamento do dispositivo, especialmente em QLEDs de estrutura invertida. Para resolver esses problemas, utilizamos MoO₃/ZnO como camada geradora de carga (CGL) para fabricar QLEDs de estrutura invertida. Essa estrutura melhorou o problema de desequilíbrio dos portadores de carga no dispositivo, aumentando a eficiência máxima da corrente de 12,8 cd/A para 15,7 cd/A. Além disso, a CGL não necessita de injeção de carga do eletrodo, mas gera carga por meio do campo elétrico e a injeta na camada emissora, reduzindo assim o impacto da interface do eletrodo no desempenho do dispositivo e aumentando consideravelmente sua estabilidade.

camada geradora de carga; armazenamento de carga; overshoot; eletroluminescência transitória