Laser emissor de cavidade vertical de 850 nm com modulação PAM4 em alta velocidade de 80 Gb/s

WANG Yanjing ,  

TONG Cunzhu ,  

LUAN Xiaoqian ,  

JIANG Ning ,  

TONG Haixia ,  

WANG Lijie ,  

TIAN Sicong ,  

MENG Bo ,  

摘要

São apresentados os resultados da modulação direta em alta velocidade do laser emissor de cavidade vertical limitado por óxido (VCSEL) de 850 nm. Um poço quântico InGaAs/AlGaAs com tensão otimizada foi projetado para alcançar alto ganho diferencial, ajustando a vida útil do fóton por meio de gravação superficial para obter uma resposta plana. O VCSEL desenvolvido com uma abertura oxidada de cerca de 7 µm apresenta resposta de frequência plana, largura de banda de modulação de 3 dB de 24 GHz, densidade de ruído relativo de -155 dB/Hz e taxa de transmissão de dados PAM4 de até 80 Gb/s sem o uso de técnicas de pré-ênfase e equalização.

关键词

Laser emissor de cavidade vertical;Alta velocidade;Modulação PAM4

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