O fotodetector ultravioleta de semicondutor de banda larga ZnO possui alta estabilidade, baixo custo e várias vantagens, com importantes perspectivas de aplicação nos campos de defesa nacional, medicina e monitoramento ambiental. Neste trabalho, foi preparada uma película de ZnO em substrato de SiO₂ usando a técnica de magnetron de rádio frequência, e com base nisso, obteve-se um fotodetector ultravioleta ZnO com estrutura metal⁃semicondutor⁃metal (MSM) de alto ganho. Sob uma tensão de polarização de 10 V, a responsividade e a eficiência quântica externa do detector foram de 4.90 A/W e 1668%, respectivamente. Isso se deve à alta amplificação causada pela captura de lacunas na interface semicondutor-metal sob iluminação. Além disso, foram estudadas as regras de controle e os mecanismos de influência do efeito de ganho, da tensão de polarização aplicada e da largura da camada de depleção na responsividade do fotodetector ultravioleta ZnO, fornecendo uma referência importante para o desenvolvimento e controle de desempenho de fotodetectores ultravioleta de alto desempenho.

ZnO; fotodetector ultravioletar; responsividade; efeito de ganho; camada de depleção