Com base na solução precursora de Cs₃Bi₂I₉ sintetizada pelo método em solução, obteve-se um filme Cs₃Bi₂I₉/BiI₃ pela modificação da solução Cs₃Bi₂I₉ com a adição de BiI₃, e fabricou-se um detector fotoeletroquímico autossuficiente baseado no filme Cs₃Bi₂I₉/BiI₃. Os resultados mostram que o BiI₃ adicionado existe no filme Cs₃Bi₂I₉ como uma segunda fase, formando uma estrutura mista de duas fases. Sob irradiação monocromática ultravioleta (365 nm), a relação ligar-desligar do detector Cs₃Bi₂I₉/BiI₃ atinge 3 198, e a responsividade e detectividade são 2,85×10^-3 A/W e 3,77×10¹⁰ Jones, respectivamente. Sob irradiação monocromática verde (530 nm), a relação ligar-desligar atinge 1 172, com responsividade e detectividade de 6,9×10^-4 A/W e 1,76×10¹⁰ Jones, apresentando também boa resposta na faixa vermelha (625 nm). Em comparação com o detector Cs₃Bi₂I₉, o dispositivo Cs₃Bi₂I₉/BiI₃ melhora significativamente o desempenho de detecção, atribuído à passivação de defeitos não radiativos pelo BiI₃. Este trabalho é a primeira tentativa de aplicar Cs₃Bi₂I₉ em detectores fotoeletroquímicos autossuficientes, e a modificação com BiI₃ melhorou com sucesso o desempenho do dispositivo, oferecendo uma nova ideia para melhorar o desempenho de aplicações de detecção fotoelétrica em perovskitas à base de bismuto de baixa toxicidade.

Cs₃Bi₂I₉;detector fotoeletroquímico;detector autossuficiente;BiI₃;segunda fase