Fortalecimento do transporte de portadores para alcançar diodos emissores de luz de pontos quânticos de perovskita de alta luminosidade e alta eficiência

ZHENG Jinping ,  

YANG Kaiyu ,  

LI Fushan ,  

摘要

Os pontos quânticos de perovskita de haleto metálico possuem excelentes propriedades ópticas, como alta eficiência quântica de fotoluminescência, alta pureza de cor e banda proibida ajustável, tornando-os promissores como materiais emissores para a próxima geração de displays de luz. Atualmente, a eficiência eletroluminescente dos diodos emissores de luz de pontos quânticos de perovskita vermelhos e verdes (PQLED) alcançou o nível dos diodos emissores de luz orgânicos (OLED). No entanto, ligantes orgânicos de cadeia longa dificultam o transporte de carga, resultando em baixa luminosidade na eficiência quântica externa máxima (EQE). Para alcançar alta luminosidade na EQE máxima, substituímos parcialmente os ligantes orgânicos de cadeia longa por ligantes inorgânicos CaBr2, fortalecendo o transporte de portadores nos PQLED e melhorando a injeção de portadores para eletroluminescência. Comparados aos ligantes orgânicos de cadeia longa e curta, os ligantes inorgânicos podem diminuir a isolação elétrica causada pelas cadeias orgânicas, melhorar a condutividade dos pontos quânticos e aprimorar ainda mais suas propriedades emissivas. Baseados nessa estratégia, realizamos um diodo emissor de luz de pontos quânticos de perovskita com pico de EQE de 10,57% em alta luminosidade de 3.753 cd/m2. Com uma tensão de operação de 6,6 V, a luminosidade máxima do PQLED atingiu 116.612 cd/m2.

关键词

perovskita;alta luminosidade;transporte de portadores;CaBr2

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