摘要
A integração de fontes de luz em chip tem sido um foco de pesquisa na área de comunicações ópticas. O fosfeto de índio (InP) é um material ideal para construir fontes de luz na faixa de comunicação. Neste artigo, foi utilizado um processo padrão de semicondutores para preparar um dispositivo emissor de cavidade micro-disco sobre substrato de InP. Através da fabricação de diodos emissores de microcavidade discoidais em quatro tamanhos diferentes, foi estudado o efeito do tamanho do disco no desempenho do dispositivo, incluindo intensidade de luz, largura na altura média e deslocamento do comprimento de onda central. Este estudo é importante para a fabricação de fontes de luz acionadas eletricamente e para a implementação da comunicação óptica na faixa de comunicação.
关键词
fosfeto de índio;diodo emissor de luz;microcavidade discoidal;controle espectral
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