Foi utilizada a tecnologia de deposição química de vapor metalorgânico para crecer um filme fino de óxido de gálio sobre um substrato de safira azul na face c, e então, por meio de fotolitografia, decapagem e evaporação por feixe de elétrons, eletrodos assimétricos em forma de forquilha foram fabricados na superfície do filme fino de óxido de gálio, sendo Pt/Au utilizado como eletrodo de Schottky e Ti/Al/Ni/Au como eletrodo ôhmico; para conseguir um bom contato ôhmico e melhorar a eficiência de injeção de portadores na interface, as amostras foram submetidas a um tratamento de recozimento após a deposição de Ti/Al/Ni/Au. Os resultados relevantes mostram que o fotodiodo Schottky Pt/β⁃Ga₂O₃ apresenta um bom nível de detecção no ultravioleta profundo. Sob uma polarização de -5 V, a responsividade e a eficiência quântica externa são respectivamente 3.4 A/W e 1.66×10³%. A detectividade do detector alcança 10¹³ Jones, indicando excelente capacidade para detectar sinais fracos. Além disso, a responsividade e a eficiência quântica externa diminuem geralmente com o aumento da intensidade luminosa, devido à maior concentração de portadores foto-gerados que aumenta a probabilidade de recombinação elétron-buraco. No modo autossustentado, o fotodiodo Schottky Pt/β⁃Ga₂O₃ apresenta uma resposta rápida com responsividade de 2.69 mA/W. Além disso, o detector opera de forma estável em altas tensões de -100 V e +100 V, demonstrando boa estabilidade sob alta tensão.

óxido de gálio; fotodiodo Schottky; detecção ultravioleta; autossustentação