Filmes compostos de AlN/Mo/Sc_0.2Al_0.8N foram preparados em substratos de Si (100) por pulverização catódica magnética pulsada de corrente contínua e, sobre essa estrutura, foi realizada a epitaxia de filmes de GaN por deposição química de vapor metálico orgânico (MOCVD). O efeito da espessura da camada de inserção de Mo sobre a qualidade cristalina da camada tampão Sc_0.2Al_0.8N e da camada epitaxial de GaN foi estudado por microscopia de força atômica, difração de raios X de alta resolução, difração de raios X em pó, microscopia eletrônica de varredura e espectroscopia Raman. Também foi estudado o efeito da camada tampão Sc_0.2Al_0.8N sobre a camada epitaxial de GaN cultivada sobre Mo. Os resultados indicam que a espessura da camada de inserção de Mo é um fator importante que afeta a camada tampão Sc_0.2Al_0.8N e a camada epitaxial de GaN, sendo a camada tampão Sc_0.2Al_0.8N significativa para a melhoria da qualidade cristalina do GaN sobre Mo. Com o aumento da espessura de Mo, a rugosidade da superfície da camada tampão Sc_0.2Al_0.8N primeiro diminuiu e depois aumentou; a largura total na metade da altura do pico de oscilação da difração de raios X (002) da camada epitaxial de GaN primeiro diminuiu e depois aumentou. Quando a espessura da camada de inserção de Mo era 400 nm, a qualidade cristalina da camada epitaxial de GaN foi melhor, a largura total na metade da altura do pico de oscilação da difração de raios X GaN (002) foi de 0,51°, e a tensão compressiva calculada pelo espectro Raman foi de 483,09 MPa; a epitaxia direta de GaN em Mo não permitiu medir a largura total na metade da altura do pico GaN (002), indicando que a camada tampão Sc_0.2Al_0.8N é necessária para a epitaxia de GaN em Mo.

GaN; deposição química de vapor metálico orgânico (MOCVD); ScAlN; difração de raios X