Foi depositado um sistema de eletrodos transparentes Ni/Au/Ni/Au na superfície de p⁃AlGaN, e através do modelo de linha de transmissão foi estudado o efeito da temperatura de recozimento nas características de contato entre Ni/Au/Ni/Au e o material p⁃AlGaN. Os resultados mostram que o LED UV profundo baseado em AlGaN usando o sistema metálico Ni/Au/Ni/Au, após recozimento a 600 ℃ em atmosfera de ar por 3 minutos, forma um material semicondutor tipo p NiO. A espessura das camadas do sistema Ni/Au/Ni/Au foi otimizada, reduzindo as espessuras de 20/20/20/20 nm para 2/2/5/5 nm, e após recozimento a 600 ℃ em atmosfera de ar por 3 minutos, a resistividade de contato com o material p⁃AlGaN diminuiu de 3,23×10^-1 Ω·cm² para 2,58×10^-4 Ω·cm². Dispositivos LED UV profundo fabricados com o sistema Ni/Au/Ni/Au otimizado exibiram melhorias nas características optoeletrônicas. Sob uma corrente de operação de 150 mA, a tensão operacional caiu para 5,8 V; aumentando a transmitância do eletrodo, a potência de saída luminosa aumentou 18,9%.

UV-LED;AlGaN;NiAu;Contato ôhmico