Em relação ao problema dos estados localizados em poços quânticos múltiplos (MQW) InGaAs/GaAs de alta tensão, foi projetado e crescido um material MQW In0.3Ga0.7As/GaAs de alta tensão com cinco ciclos utilizando a técnica de epitaxia por vapor de compostos metalorgânicos (MOCVD). Através da microscopia de forças atômicas (AFM) e fotoluminescência (PL) em temperatura variável, foi observada uma desordem material devido a defeitos e flutuações de composição dentro do poço quântico, confirmando a existência e origem dos estados localizados dentro dos MQWs. Além disso, verificou-se que, em diferentes locais de teste, a influência dos estados localizados no espectro em baixa temperatura varia, manifestando-se como uma distribuição de dois picos e uma variação em forma de “S” na posição do pico. Isso indica ainda diferentes graus de desordem interna no material, levando a diferentes profundidades dos estados localizados. Com base no ajuste da relação temperatura-banda proibida, foi proposta uma distribuição potencial do material MQW contendo os estados localizados, revelando o mecanismo de recombinação entre portadores dos estados localizados e portadores livres. Além disso, mediante testes de PL com potência variável, foram estudadas as características de emissão dos estados localizados de diferentes profundidades sob diferentes densidades de potência de excitação.

Poços quânticos múltiplos InGaAs/GaAs; estados localizados; alta tensão; epitaxia por vapor de compostos metalorgânicos (MOCVD)