Os lasers semicondutores de faixa larga são amplamente utilizados em áreas como bombeamento a laser, processamento a laser e outros campos. Para abordar o problema do espectro de saída amplo e da pequena faixa de sintonia dos lasers semicondutores de faixa larga, foram utilizados grades de difração reflexivas com eficiências de difração de 28% e 55% como elementos de realimentação para construir um laser semicondutor de cavidade externa de grade com comprimento de onda de 970 nm. Foram estudados os efeitos dos parâmetros do laser com estrutura Littrow em seu desempenho (faixa de sintonia, potência, corrente de limiar, largura de linha). Os resultados experimentais mostraram que, por meio da otimização estrutural, é possível obter saída a laser ajustável de largura de linha estreita, e que o aumento adequado da temperatura e o uso de grades com maior eficiência de difração podem aumentar a faixa de sintonia do laser, e que grades com maior eficiência de difração podem reduzir a corrente de limiar do laser. Baseado na incidência de polarização S, o laser de cavidade externa de grade pode alcançar uma faixa máxima de sintonia de comprimento de onda de 27,87 nm, reduzir a largura espectral da linha a 0,2 nm e a potência de saída pode chegar a 1,11 W.

Laser semicondutor; grade de difração; sintonia de comprimento de onda; corrente de limiar