Filmes de perovskita de césio, chumbo e bromo preparados pelo método de deposição química a vapor (CVD) possuem excelentes propriedades optoeletrônicas, no entanto, os filmes geralmente apresentam duas regiões estruturais de fases diferentes, CsPbBr₃ e CsPb₂Br₅. Este trabalho preparou filmes de perovskita CsPbBr3 por CVD e utilizou difração de raios X (XRD), microscopia eletrônica de varredura (SEM), espectrometria de dispersão de energia (EDS) e espectroscopia de fluorescência para estudar o efeito da pressão do gás reativo e do fluxo de N₂ na estrutura da fase CsPb₂Br₅. Os resultados experimentais mostram que a variação da pressão do gás reativo não afeta a estrutura da fase CsPb₂Br₅; em contraste, com a diminuição do fluxo de N₂, parte da estrutura da fase CsPb₂Br₅ no filme gradualmente se transforma na estrutura da fase CsPbBr₃, e a emissão muda de uma emissão de banda larga centrada em ~630 nm para uma emissão de banda estreita centrada em ~530 nm. Os experimentos mostram que o fluxo de N₂ é um meio eficaz para regular a estrutura da fase e as propriedades de emissão de CsPb₂Br₅.

Deposição química a vapor;Filmes de perovskita CsPbBr₃;Estrutura da fase CsPb₂Br₅