A emissão lateral do laser de cavidade externa vertical com emissão de superfície (Vertical external cavity surface emitting laser, VECSEL) é o fator chave que limita seu funcionamento de alto desempenho. Projetamos uma estrutura de chip de ganho com grande desajuste (30 nm) entre o pico de ganho do poço quântico e o modo da cavidade superficial em temperatura ambiente, e comprovamos que essa estrutura pode suprimir eficazmente o aumento da emissão lateral do VECSEL com o aumento da potência de bombeamento. Quando a temperatura da base do chip de ganho é de 20 ℃, o comprimento de onda da emissão direta do VECSEL está em 980 nm, o comprimento de onda da emissão lateral está em 950 nm, e com o aumento gradual da potência de bombeamento, a intensidade da emissão lateral diminui rapidamente com o surgimento da emissão direta. Isso ocorre porque o nível de emissão estimulada do poço quântico coincide com o modo do laser da emissão direta, e o modo do laser da emissão direta pode obter um ganho modal mais alto, tendo vantagem na competição com o modo lateral. Quando a temperatura da base é controlada entre 0 ℃ e 10 ℃, o desajuste entre o pico de ganho intrínseco do poço quântico e o modo da cavidade superficial aumenta, e o VECSEL continua a apresentar um efeito estável de supressão da emissão lateral.

laser de cavidade externa vertical com emissão de superfície; emissão lateral; descompasso de ganho; competição de modos