Foi fabricado um dispositivo eletroluminescente de pontos quânticos (QLED) com estrutura invertida utilizando WO₃/ZnO como camada geradora de carga (CGL). Em comparação com os QLEDs tradicionais baseados em uma única camada de ZnO como camada de transporte de elétrons, a eficiência de corrente do QLED com CGL aumentou cerca de 30%. Isso se deve principalmente à característica dependente do campo elétrico da injeção eletrônica do CGL, o que torna a injeção de carga no dispositivo mais equilibrada, aumenta a eficiência da formação dos excitons e suprime o processo de extinção causado pelos portadores de carga. Além disso, por meio da espectroscopia de eletroluminescência transitória e testes de características capacitivas, analisamos o mecanismo de funcionamento do dispositivo QLED baseado em CGL, encontrando que o CGL pode armazenar uma grande quantidade de portadores de carga, resultando no fenômeno de sobreimpulso luminescente quando o dispositivo é acionado por tensão pulsada. Sua estabilidade ambiental é comparável aos dispositivos convencionais baseados em ZnO. Devido ao mecanismo único de geração de carga do CGL, o dispositivo não depende das características da função trabalho dos eletrodos. Acreditamos que essa estrutura de dispositivo tem grande potencial para melhorar a estabilidade e o rendimento do dispositivo.

dispositivo emissor de pontos quânticos; camada geradora de carga; sobreimpulso; armazenamento de carga